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規(guī)格型號
品牌
參數(shù)描述
起訂量
庫存
購買數(shù)量
單價
操作
產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 120A（Tc） 780W 模塊
封裝：Module
產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 204A（Tc） 1130W 模塊
封裝：Module
產(chǎn)品說明：底座安裝 N 通道 1200 V 300A（Tc） 1360W（Tc） 模塊
封裝：Module
產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 600A（Tc） 2450W（Tc） 底座安裝 模塊
封裝：Module
產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 400A（Tc） 1570W（Tc） 底座安裝 模塊
封裝：Module
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 70 A 234 W 通孔 TO-247G
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 85 A 277 W 通孔 TO-247G
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 78 A 234 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 33 A 76 W 通孔 TO-3PFM
封裝：TO-3PFM
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 111 A 319 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 58 A 194 W 通孔 TO-247
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 73 A 272 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 56 A 223 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 88 A 326 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 80 A 214 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 80 A 214 W 通孔 TO-247N
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