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操作
產(chǎn)品說明：650 V，75 A 溝槽型場截止IGBT，帶全額定硅二極管
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：650V 20A SiC 肖特基二極管，采用 TO-263-2封裝
封裝：TO-263-2
產(chǎn)品說明：650V 20A SiC 肖特基二極管，采用 TO-247-2 封裝
封裝：TO-247-2
產(chǎn)品說明：氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A（Tc） 250W（Tc） CCPAK1212i
封裝：CCPAK1212i
產(chǎn)品說明：氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 60A（Tc） 300W（Tc） CCPAK1212
封裝：CCPAK1212
產(chǎn)品說明：氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A（Ta） 13W（Ta） 22-WLCSP（2.1x2.1）
封裝：WLCSP-22
產(chǎn)品說明：氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 150 V 100A（Ta） 65W（Ta）VQFN
封裝：VQFN-7
產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 38A（Tc） 167W（Tc） TO-263-7
封裝：TO-263-7
產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 65A（Tc） 306W（Tc） TO-247-4
封裝：TO-247-4
產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 65A（Tc） 306W（Tc） TO-263-7
封裝：TO-263-7
產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 67A（Tc） 306W（Tc） TO-263-7
封裝：TO-263-7
產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 33A（Tc） 167W（Tc） TO-263-7
封裝：TO-263-7
產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 35A（Tc） 183W（Tc） TO-247-4
封裝：TO-247-4
產(chǎn)品說明：采用 LFPAK88 的 N 溝道 100 V、2.3 mOhm MOSFET，具有增強(qiáng)型 SOA
封裝：LFPAK88
產(chǎn)品說明：1200V、80mΩ、N 溝道 SiC MOSFET 晶體管
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：1200V、40mΩ、N 溝道 SiC MOSFET 晶體管
封裝：TO-247-3電話咨詢：86-755-83294757
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