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規(guī)格型號(hào)
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參數(shù)描述
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購(gòu)買數(shù)量
單價(jià)
操作
產(chǎn)品說明：Nano Cap?，EcoGaN?，650V 150mΩ 2MHz，GaN HEMT 功率級(jí) IC
封裝：VQFN-46
產(chǎn)品說明：1200V N通道 4引腳封裝 SiC（碳化硅）MOSFET
封裝：TO-247-4L
產(chǎn)品說明：1200V, 55A, 4引腳THD, 溝槽結(jié)構(gòu) 車載SiC-MOSFET
封裝：TO-247-4L
產(chǎn)品說明：650V, 70A, 4引腳THD, 溝槽結(jié)構(gòu) 車載SiC-MOSFET
封裝：TO-247-4L
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 1200 V 50 A 395 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 650 V 132 A 348 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 650 V 96 A 254 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 1200 V 50 A 395 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 650 V 45 A 94 W 通孔 TO-3PFM
封裝：TO-3PFM
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 1200 V 30 A 267 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 650 V 80 A 214 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 650 V 45 A 89 W 通孔 TO-3PFM
封裝：TO-3PFM
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 650 V 64 A 178 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 650 V 35 A 72 W 通孔 TO-3PFM
封裝：TO-3PFM
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 650 V 39 A 85 W 通孔 TO-3PFM
封裝：TO-3PFM
產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽場(chǎng)截止 1200 V 30 A 267 W 通孔 TO-247N
封裝：TO-247N電話咨詢：86-755-83294757
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