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規(guī)格型號(hào)
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參數(shù)描述
起訂量
庫(kù)存
購(gòu)買數(shù)量
單價(jià)
操作
產(chǎn)品說(shuō)明：1700V、25A 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管，TO-247-2
封裝：TO-247-2
產(chǎn)品說(shuō)明：600V 8A 第 3 代分立 SiC 肖特基二極管
封裝：TO-220-2
產(chǎn)品說(shuō)明：650 V, 16 A, TO-263-2 封裝, 第6代分立碳化硅肖特基二極管
封裝：TO-263-2
產(chǎn)品說(shuō)明：1200V 2.67mΩ 62mm 半橋碳化硅電源模塊
封裝：模塊
產(chǎn)品說(shuō)明：1700V、5A 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管，TO-247-2
封裝：TO-247-2
產(chǎn)品說(shuō)明：650 V, 16 A, TO-220-2 封裝, 第6代分立碳化硅肖特基二極管
封裝：TO-220-2
產(chǎn)品說(shuō)明：1200V、16mΩ、115A 碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管，TO-247-4
封裝：TO-247-4
產(chǎn)品說(shuō)明：650V 分立碳化硅 MOSFET 晶體管，采用 TO-247-4 封裝
封裝：TO-247-4
產(chǎn)品說(shuō)明：1.7kV 碳化硅 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管，TO-247-4
封裝：TO-247-4
產(chǎn)品說(shuō)明：1200V、300 A 碳化硅半橋模塊
封裝：模塊
產(chǎn)品說(shuō)明：1000V N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管，TO-263-7
封裝：TO-263-7
產(chǎn)品說(shuō)明：1200V SiC 功率 MOSFET C3M? MOSFET 晶體管，TO-263-7
封裝：TO-263-7
產(chǎn)品說(shuō)明：1000V 120mOhm N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管，TO-263-7
封裝：TO-263-7
產(chǎn)品說(shuō)明：1200V、10A 碳化硅肖特基二極管
封裝：TO-220-2
產(chǎn)品說(shuō)明：1.2kV、75mohm N 溝道增強(qiáng)型 SiC 功率 MOSFET 晶體管
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說(shuō)明：1200V、75mohm 碳化硅 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
封裝：TO-247-4電話咨詢：86-755-83294757
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