品牌:
產(chǎn)品圖片
規(guī)格型號(hào)
品牌
參數(shù)描述
起訂量
庫(kù)存
購(gòu)買(mǎi)數(shù)量
單價(jià)
操作
產(chǎn)品說(shuō)明：表面貼裝型 N 通道 50 V 410A（Ta） 375W（Ta） LFPAK88（SOT1235）
封裝：LFPAK88
產(chǎn)品說(shuō)明：表面貼裝型 N 通道 80 V 170A（Ta） 294W（Ta） LFPAK56，Power-SO8
封裝：LFPAK56
產(chǎn)品說(shuō)明：表面貼裝型 N 通道 55 V 330A（Ta） 375W（Ta） LFPAK88（SOT1235）
封裝：LFPAK88
產(chǎn)品說(shuō)明：通孔 N 通道 650 V 34.5A（Ta） 143W（Ta） TO-247-3
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說(shuō)明：通孔 N 通道 650 V 47.2A 187W TO-247-3
封裝：TO-247-3
產(chǎn)品說(shuō)明：能量收集 PMIC 16-HWQFN（3x3）
封裝：HWQFN-16
產(chǎn)品說(shuō)明：650 V、140 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET，采用 DFN 8 mm x 8 mm 封裝
封裝：DFN8080-8
產(chǎn)品說(shuō)明：650 V、190 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET，采用 5 mm x 6 mm DFN 封裝
封裝：DFN5060-5
產(chǎn)品說(shuō)明：650 V、140 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET，采用 5 mm x 6 mm DFN 封裝
封裝：DFN5060-5
產(chǎn)品說(shuō)明：150 V、7 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET，采用 2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm 陸柵陣列 (LGA) 封裝
封裝：FCLGA-3
產(chǎn)品說(shuō)明：650 V、190 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET，采用 DFN 8 mm x 8 mm 封裝
封裝：DFN8080-8
產(chǎn)品說(shuō)明：650 V、80 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET，采用 DFN 8 mm x 8 mm 封裝
封裝：DFN8080-8
產(chǎn)品說(shuō)明：100 V、3.2 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET，采用 3.5 mm x 2.13 mm 晶圓級(jí)芯片尺寸封裝 (WLCSP)
封裝：WLCSP-8
產(chǎn)品說(shuō)明：IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 600 V 75 A 285 W 通孔 TO247-3L
封裝：TO-247-3L
產(chǎn)品說(shuō)明：表面貼裝型 P 通道 60V 25A（Ta） 66W（Ta） LFPAK56，Power-SO8
封裝：LFPAK56
產(chǎn)品說(shuō)明：表面貼裝型 N 通道 40V 6A（Ta），18A（Tc） 2W（Ta），19W（Tc） DFN2020MD-6
封裝：6-UDFN電話咨詢(xún)：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國(guó)利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接:
