DG200X12T6B - 1200V 200A 單相半橋 IGBT 功率模塊
DG200X12T6B 的一般描述
DG200X12T6B 是分立式 IGBT 功率模塊，具有超低傳導損耗和低開關損耗的特點。它們專為通用逆變器和 UPS 等應用而設計。
DG200X12T6B 的特點
低 VCE（飽和）溝槽式 IGBT 技術
開關損耗低
最高結溫 175℃
正溫度系數(shù) VCE(sat)
快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWD
采用 Si3N4 AMB 技術的隔離式散熱器
無鉛封裝
DG200X12T6B 的典型應用
電機驅動逆變器
交流和直流伺服驅動放大器
不間斷電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月，專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務，是目前國內(nèi)功率半導體器件領域的領軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興，在上海、重慶、浙江和歐洲均設有子公司，并在國內(nèi)和歐洲德國和瑞士設有研發(fā)中心。2020年…
ID10FFX60U5SS
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ID50FFX60U3S - 600V，50A 緊湊型 - IPM 模塊，U3封裝ID50FFX60U3S- 產(chǎn)品規(guī)格：型號：ID50FFX60U3S（緊湊型 - IPM 模塊）封裝：U3額定電壓：600V額定電流：50A導通壓降 VCE(sat) Tvj=25℃ typ：1.70V芯片類型：Trench-FS Gen1電路結構：Sixpack/六單元ID50FFX60U3S - 產(chǎn)品…電話咨詢：86-755-83294757
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