Microchip推出的APTGX200DU120T3AG器件是一款IGBT功率模塊，采用Dual Common Emitter（雙共射極）結(jié)構(gòu)，適用于1200V/200A的高頻開關電源、電機控制等場景。以下是其核心參數(shù)：

配置：雙共射極

電壓：1200V

飽和電壓：1.55V

電流Tc=80°C：200A

硅類型：IGBT7

封裝：SP3F

APTGX200DU120T3AG具有以下典型應用

該模塊適用于工業(yè)自動化、新能源汽車、軌道交通等領域的高頻電力電子設備。

性能優(yōu)勢

低損耗?：具備低壓降特性，降低導通和開關損耗

?高可靠性?：采用AlN陶瓷基板和銅基底，提升散熱效率

?驅(qū)動優(yōu)化?：配備Kelvin發(fā)射極結(jié)構(gòu)，簡化驅(qū)動電路設計

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