APTM100DSK35T3G是一款專為高頻應用設計的功率模塊，結(jié)合低導通電阻、低輸入/米勒電容及Kelvin源驅(qū)動等技術(shù)特性，適用于開關(guān)電源、電機控制等場景。

主要規(guī)格

配置：雙降壓斬波器

電壓：1000V

RDSon (mR) 典型值：350 mOhm

電流Tc=80°C：17A

硅類型：MOSFET

封裝：SP3F

APTM100DSK35T3G特征

低導通電阻?：典型值為350mΩ（@25℃），高頻運行時具備低損耗優(yōu)勢。

Kelvin源驅(qū)動?：通過獨立源極連接設計，簡化驅(qū)動電路復雜度。

低雜散電感?：優(yōu)化高頻性能，降低電磁干擾。

內(nèi)置熱敏電阻?：實時監(jiān)測結(jié)溫，提升系統(tǒng)可靠性。

APTM100DSK35T3G典型應用范圍

該模塊主要應用于工業(yè)自動化控制（如電機驅(qū)動）、高頻開關(guān)電源等領域，其低導通電阻特性尤其適合高負載場景。

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