概述：

SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM，并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM，與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比，性能大幅提升。

HMCG84MEBQA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊

詳細(xì)參數(shù)

類型：DDR5 Module RDIMM

密度：32GB

組織：x4

速度：4800Mbps

封裝：SDP

與DDR4相比，SK hynix的16Gb或24Gb DDR5 RDIMM將有效帶寬提高了70%,數(shù)據(jù)速率從5，600Mbps開始，最高可達(dá)6，400Mbps，最終目標(biāo)是速度提高2倍以上。這樣的收益減少了相同系統(tǒng)性能水平所需的服務(wù)器數(shù)量，并使數(shù)據(jù)中心的運營更加環(huán)保。

借助雙通道結(jié)構(gòu)，DDR5 RDIMM將CA(命令地址)引腳的數(shù)量增加到7條從主機(jī)到RCD的雙倍數(shù)據(jù)速率CA總線，以及14條從RCD到DRAM的單倍數(shù)據(jù)速率總線。因此，與單通道DDR4 DIMM相比，擁有兩個獨立的40位通道可實現(xiàn)2倍的帶寬和更高的總線(信號)效率。

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