STARPOWER SiC MOSFET 功率模塊具有極低的 RDS（導通）和極高的阻斷電壓。它專為混合動力和電動汽車等應(yīng)用而設(shè)計。
特點
? SiC 功率 MOSFET
? 具有低 RDS（導通）的高阻塞電壓
? 易于并聯(lián)，驅(qū)動簡單
? 低電感情況下避免振蕩
? 采用 Si3N4 AMB 技術(shù)的隔離式銅針腳基板
MD22HTC120P6HET
封裝：P6
額定電流：-
芯片類型：SIC
額定電壓：1200V
電路結(jié)構(gòu)：Sixpack/六單元
特征：PINFIN基板
應(yīng)用
? 汽車應(yīng)用
? 混合動力和電動汽車
? 電機驅(qū)動用逆變器
等效電路原理圖
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
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斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月，專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務(wù)，是目前國內(nèi)功率半導體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興，在上海、重慶、浙江和歐洲均設(shè)有子公司，并在國內(nèi)和歐洲德國和瑞士設(shè)有研發(fā)中心。2020年…
ID10FFX60U5SS
ID10FFX60U5SS - 600V，10A 緊湊型 - IPM 模塊，采用最新的溝槽式 IGBT 技術(shù)，實現(xiàn)了良好的總體損耗權(quán)衡。型號：ID10FFX60U5SS（緊湊型 - IPM 模塊）封裝：U5額定電壓：600V額定電流：10A芯片類型：Trench-FS Gen1電路結(jié)構(gòu)：Sixpack/六單元ID10FFX60U5SS - 引腳配置：ID1…
ID05FFX60U5SS
ID05FFX60U5SS - 600V，5A 緊湊型 - IPM 模塊，U5封裝型號：ID05FFX60U5SS（緊湊型 - IPM 模塊）封裝：U5額定電流：5A芯片類型：Trench-FS Gen1額定電壓：600V電路結(jié)構(gòu)：Sixpack/六單元ID05FFX60U5SS - 產(chǎn)品特點：通過 UL 1557 認證。采用最新的溝槽式 IGBT 技術(shù)，實現(xiàn)了…
DG75H12T2
DG75H12T2 是 IGBT 功率分立器件，具有超低的傳導損耗和開關(guān)損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應(yīng)用而設(shè)計。DG75H12T2 的特點低 VCE（飽和）溝槽式 IGBT 技術(shù)開關(guān)損耗低最高結(jié)溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復(fù)反并聯(lián) FWDDG75H12T2 的典型應(yīng)用太陽能電子焊機不…
DG50H12T2
DG50H12T2 是 IGBT 功率分立器件，具有超低的傳導損耗和開關(guān)損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應(yīng)用而設(shè)計。DG50H12T2 的特點低 VCE（飽和）溝槽式 IGBT 技術(shù)開關(guān)損耗低最高結(jié)溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復(fù)反并聯(lián) FWDDG50H12T2 的典型應(yīng)用用于電機驅(qū)動的逆…
DG40H12T2
DG40H12T2 是 IGBT 功率分立器件，具有超低的傳導損耗和開關(guān)損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應(yīng)用而設(shè)計。DG40H12T2 的特點低 VCE（飽和）溝槽式 IGBT 技術(shù)開關(guān)損耗低最高結(jié)溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復(fù)反并聯(lián) FWDDG40H12T2 的典型應(yīng)用太陽能電子焊機不…
ID50FFX60U3S
ID50FFX60U3S - 600V，50A 緊湊型 - IPM 模塊，U3封裝ID50FFX60U3S- 產(chǎn)品規(guī)格：型號：ID50FFX60U3S（緊湊型 - IPM 模塊）封裝：U3額定電壓：600V額定電流：50A導通壓降 VCE(sat) Tvj=25℃ typ：1.70V芯片類型：Trench-FS Gen1電路結(jié)構(gòu)：Sixpack/六單元ID50FFX60U3S - 產(chǎn)品…電話咨詢：86-755-83294757
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