DF23MR12W1M1PB11BPSA1 EasyPACK? 1B 1200 V、23 mΩ升壓模塊，配有CoolSiC? MOSFET、NTC、預(yù)涂熱界面材料和PressFIT接觸技術(shù)，升壓級中的CoolSiC?肖特基二極管的額定電流得到增強(qiáng)，可從光伏板獲得更高的輸入電流。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)： 碳化硅（SiC）。

配置：2個N溝道（雙）。

漏極至源極電壓（Vdss）： 1200V (1.2kV)

電流 - 連續(xù)漏極（Id） @ 25°C： 25A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 45mOhm @ 25A, 15V

Vgs(th)（最大值）@ Id： 5.55V @ 10mA

柵極電荷（Qg）（最大值）@ Vgs： 62nC @ 15V

輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds： 1840pF @ 800V

功率 - 最大：20mW

操作溫度：-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型： 底座安裝

包裝/外殼： 模塊

特點(diǎn)概述

高電流密度

一流的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗

低電感設(shè)計

集成NTC溫度傳感器

PressFIT接觸技術(shù)

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的模塊

優(yōu)點(diǎn)

最高的效率，減少冷卻工作量

更高的運(yùn)行頻率

更高的功率密度

優(yōu)化了客戶的開發(fā)周期時間和成本

DF23MR12W1M1PB11BPSA1是Boosters 1200 V CoolSiC? MOSFET模塊。

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