商品名稱:R7FA6E2BB3CNE
數(shù)據(jù)手冊:R7FA6E2BB3CNE.pdf
品牌:Renesas
年份:23+
封裝:48-WFQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
R7FA6E2BB3CNE 微控制器設計用于高性能應用,基于帶有TrustZone的200MHz Arm? Cortex?-M33內(nèi)核。RA6E2 MCU非常適合用于滿足低內(nèi)存、小型封裝、較低引腳數(shù)和低有源功率的要求。
規(guī)格
核心處理器:ARM? Cortex?-M33
內(nèi)核規(guī)格:32-位
速度:200MHz
連接能力:CANbus,EBI/EMI,I2C,SCI,SPI,UART/USART,USB
外設:DMA,LVD,POR,PWM,WDT
I/O 數(shù):29
程序存儲容量:256KB(256K x 8)
程序存儲器類型:閃存
EEPROM 容量:4K x 8
RAM 大?。?0K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):2.7V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉換器:A/D 8x12b SAR; D/A 2x12b
振蕩器類型:內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:48-WFQFN 裸露焊盤
供應商器件封裝:48-HWQFN(7x7)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
TFBGA100
3320
ARM? Cortex?-M7 STM32H7 微控制器 IC 32-位 280MHz 1MB(1M x 8) 閃存 100-TFBGA(8x8)
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結合了日立與三菱電機在半導體領域上的豐富經(jīng)驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
R5F1026AASP
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TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構建的常閉器件。該晶體管結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下:晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標準的 PQFN88 封裝,具有 Kelvin 源和通用源封裝配置?!?/span>電話咨詢:86-755-83294757
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