STF11N65M2器件采用MDmesh M2技術開發(fā)的N溝道功率MOSFET。憑借其條帶式布局和改進的垂直結構，該器件展現(xiàn)出低導通電阻和優(yōu)化的開關特性，使其適用于要求最嚴苛的高效轉換器。

STF11N65M2 參數(shù)

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 7 A

Rds On-漏源導通電阻: 670 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 12.5 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 25 W

通道模式: Enhancement

商標名: MDmesh II Plus

配置: Single

下降時間: 15 ns

產(chǎn)品: Power MOSFETs

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時間: 7.5 ns

系列: STF11N65M2

STF11N65M2 特性

? 極低柵極電荷

? 卓越的輸出電容（COSS）特性曲線

? 100%雪崩測試

? 齊納保護

STF11N65M2 應用

? 開關應用

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